TSM60NB190CM2 RNG
/MOSFET 600V, 18A, 0.19 N Channel Power Mosfet
TSM60NB190CM2 RNG的规格信息
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:18 A
Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:31 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:150.6 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:Reel
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Taiwan Semiconductor
下降时间:21 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:21 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:95 ns
典型接通延迟时间:36 ns
单位重量:2.200 g
TSM60NB190CM2 RNG
TSM60NB190CM2 RNG的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | TSM60NB190CM2 RNG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO263 | $6.86000 |
 Mouser 贸泽电子 | TSM60NB190CM2 RNG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 18A, 0.19 N Channel Power Mosfet | 1:¥24.747 10:¥22.3627 100:¥17.9783 500:¥13.9894 2,400:¥10.8367 4,800:查看
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